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[发明专利]商业智能工具中的数据挖掘及预测洞察力的快速、动态、数据驱动的报告部署-CN201180057230.6无效
发明人： C西贝;R·普立多德罗斯里叶斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2011-11-03 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：基于在模型结构中的一个或多个元模型对象类型而选择商业智能(BI)元模型模板。根据所选的BI元模型模板产生BI元模型。基于挖掘模型类型而选择一个或多个BI报告规格模板。根据所选的一个或多个BI报告规格模板、模型结构的模式、及模型结构的内容而产生BI报告规格。BI元模型及BI报告规格被部署至BI服务器，供用于在BI服务器处使用BI工具而产生BI报告。响应于对BI报告的用户请求，在使用BI元模型及BI报告规格的BI服务器处以BI工具产生BI报告。
商业智能工具中的数据挖掘预测洞察力快速动态驱动报告部署

[发明专利]易切削铜合金及易切削铜合金的制造方法-CN202080084404.7有效
发明人：大石惠一郎;须崎孝一;后藤弘树 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C22C9/04 文献下载
摘要：该易切削铜合金含有Cu：超过59.7％且小于64.7％、Si：超过0.60％且小于1.30％、Pb：超过0.001％且小于0.20％、Bi：超过0.001％且小于0.10％、及P：超过0.001％且小于0.15％，剩余部分由Zn及不可避免的杂质构成，Fe、Mn、Co及Cr的总量小于0.45％，Sn和Al的总量小于0.45％，56.7≤Cu‑4.7×Si+0.5×Pb+0.5×Bi‑0.5×P≤59.7，0.003≤Pb+Bi＜0.25，在0.003≤Pb+Bi＜0.08的情况下，0.02≤Bi/(Pb+Bi)≤0.98，在0.08≤Pb+Bi＜0.13的情况下，0.01≤Bi/(Pb+Bi)≤0.40或0.85≤Bi/(Pb+Bi)≤0.98，在0.13≤Pb+Bi＜0.25的情况下，0.01≤f3＝Bi/(Pb+Bi)≤0.33，金相组织由α相和β相构成，17≤β≤75，7.0≤(Bi+Pb‑0.001
切削铜合金制造方法

[发明专利]一种Bi-Bi5+-CN202010134332.4有效
发明人：杨汉培;柴斯琦;高照;康丽;吴强顺;张睿宸;郭雨灵;吴俊明 -专利权人：河海大学
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B01J27/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种Bi‑Bi5+/BiOBr自掺杂光催化剂，所述光催化剂中的Bi元素同时具有Bi、Bi5+和BiBi‑Bi5+/BiOBr自掺杂光催化剂的制备方法，所述方法为：BiOBr光催化剂在经过葡萄糖还原和紫外辐照后得到Bi、Bi5+以及Bi3+三种价态共存的Bi‑Bi5+/BiOBr光催化剂。相比于BiOBr光催化剂，本发明Bi‑Bi5+/BiOBr光催化剂的比表面积增大，禁带宽度缩小，光生电子‑空穴对分离效率提高，可见光吸收增强，光催化活性提高，在紫外光和可见光下均能快速降解水中有机污染物
一种 bi base sup

[发明专利]一种Bi-2223高温超导带材的制备方法-CN201811399498.8有效
发明人：郝清滨;刘国庆;焦高峰;李成山;徐晓燕;郑会玲;白利锋;张胜楠;马小波;李高山;熊晓梅;冯建情;崔利军;张平祥 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种Bi‑2223高温超导带材的制备方法，该方法包括：一、将Bi‑2223前驱粉末进行加热保温的前处理；二、将经前处理后的Bi‑2223前驱粉末装管；三、将Bi‑2223前驱粉末压制得Bi‑2223棒材，再装管并除气密封得单芯复合体；四、将单芯复合体依次经拉拔和集束拉拔得多芯Bi‑2223线材，经热处理后轧制得Bi‑2223高温超导带材。本发明对Bi‑2223前驱粉末加热保温，减少了主相(Bi,Pb)2212中的Pb含量，使(Bi,Pb)2212由四方相转化为正交相，改善了Bi‑2223前驱粉末的加工特性，改善了拉拔时银超界面的光滑度，提高了Bi‑2223高温超导带材的载流性能。
一种 bi 2223 高温超导制备方法

[发明专利]C/Bi/Bi2-CN201911234843.7有效
发明人：杨水金;张志;邹晨涛 -专利权人：湖北师范大学
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B01J23/31 文献下载
摘要：本发明公开了C/Bi/Bi2MoO6极化材料及其制备方法以及在光催化降解染料中的应用，所述C/Bi/Bi2MoO6极化材料是通过先制备EDTA‑Bi前驱体，再通过EDTA‑Bi前驱体制备C/Bi/Bi2MoO6复合材料，最后制备得到C/Bi/Bi2MoO6极化材料；本发明的C/Bi/Bi2MoO6极化材料具有价格低廉、制备方法简单、良好的稳定性等优点，同时在光催化降解有色染料孔雀石绿和无色染料双酚
bi base sub

[发明专利]Bi/β-Bi2-CN202111282519.X在审
发明人：周慧;陶晓辉 -专利权人：扬州工业职业技术学院
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： B01J23/18 文献下载
摘要：本案涉及一种Bi/β‑Bi2O3异质结材料、葡萄糖酸钠辅助合成的方法及其应用，首先将葡萄糖酸钠溶解在水中，然后加入PEG4000水溶液，随后再加入Bi(NO3)3水溶液中，之后再与甲酰胺混合，通过水热法制得前驱体材料；进一步在氮气气氛中通过热处理获得Bi/β‑Bi2O3光催化剂材料。本发明中制备的Bi/β‑Bi2O3异质结为鸟巢状分等级微纳结构，具有优异的光催化性能；对罗丹明B和盐酸左氧氟沙星具有较高的光催化降解活性
bi base sub

[发明专利]一种制备高拉伸塑性Ni（Bi）合金的方法-CN201210295977.1有效
发明人：郑磊;齐琳;杨武强;何飞霞;张彬彬 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： C22C19/03 文献下载
摘要：本发明属于镍基合金领域，涉及制备高拉伸塑性Ni(Bi)合金的方法。采用高纯Ni和高纯Bi为原料，通过真空冶炼工艺制备Ni(Bi)合金，并将Ni(Bi)合金进行645℃～655℃下的等温热处理，最终得到高拉伸塑性、高服役可靠性的Ni(Bi)合金。本发明降低了Bi元素挥发量，准确控制了Bi含量；提高了合金的利用率，降低了成本。用本方法制得的Ni(Bi)合金平均拉伸塑性达到56.11%，最高可达65.92％，具有良好的应用前景。
一种制备拉伸塑性 ni bi 合金方法

[发明专利]BI服务集群系统及其搭建方法-CN202010597391.5在审
发明人：杨华;王作为;赵船畯;高秀昕;邵雪飞;郭强;毛福林;张嫄 -专利权人：中国银行股份有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： G06F8/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种BI服务集群系统及其搭建方法，该系统包括：BI集群系统，用于向各个租户系统提供硬件资源；BI服务器，与BI集群系统通信，用于监控、管理、调配BI集群系统向各个租户系统提供的硬件资源；至少一个租户系统，分别与BI服务器通信，用于配置各个用户角色对BI集群系统的访问权限，其中，每个租户系统内包含一个或多个用户角色。本发明由租户系统完成BI服务集群的用户信息和权限信息管理，使得BI工具提供全面的数据分析能力而非用户管理能力。
bi 服务集群系统及其搭建方法

[发明专利]一种显著提高Bi2212超导材料临界电流密度的方法-CN202111449107.0有效
发明人：李珍宝;刘国庆;姚凯 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01B12/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种显著提高Bi2212超导材料临界电流密度的方法，该方法通过人工制备获得14：24的AEC相，然后加入到Bi2212粉体中混匀得到混合粉末，采用混合粉末制备得到Bi2212超导材料。本发明将人工制备的14：24的AEC相加入到Bi2212粉体中制备Bi2212超导材料，有效控制了14：24的AEC相在Bi2212粉体中的加入量，从而在Bi2212粉体中定向并定量控制AEC相的含量，促进了Bi2212晶粒生长，使得Bi2212超导材料的临界电流密度显著提高，提高了Bi2212超导材料载流性能，操作简单，成本低，可控性和可操作性强，有利于在Bi2212超导材料中的快速应用。
一种显著提高 bi2212 超导材料临界电流密度方法

[发明专利]Bi@MAX核壳结构、高可靠无铅焊料及其制备方法-CN202210008986.1有效
发明人：刘玉爽;刘哲学;姚函妤;陶学伟;于皓;王捷;朱一鸣;王金婷;曹璐;李小雪 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：本发明公开了Bi@MAX核壳结构，包括MAX相微纳颗粒和Bi颗粒，MAX相微纳颗粒包覆在Bi颗粒表面。本发明还公开了Bi@MAX核壳结构的制备方法。本发明还公开了包含Bi@MAX核壳结构的高可靠无铅焊料及其制备方法。本发明将MAX相微纳颗粒包裹在Bi金属颗粒表面，制成Bi@MAX核壳结构，然后将其添加到Sn基合金基体中，形成Bi@MAX/Sn基合金复合焊料。在焊接过程中，Sn基合金基体中不含Bi元素，能够避免晶须的快速形核。而在焊料使用过程中，Bi元素会通过MAX相颗粒间的界面及MAX相中的A原子层缓慢释放到基体中，抑制Sn晶须的形核过程，有效发挥Bi元素在低温下对Sn晶须的抑制作用。
bi max 结构可靠焊料及其制备方法

[发明专利]空调器BI报表系统、空调器BI报表的生成方法和存储介质-CN201710932591.X在审
发明人：吕闯;樊其锋 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： G06F17/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种空调器BI报表系统，所述空调器BI报表系统包括BI报表子系统以及大数据基本平台，所述BI报表子系统与所述大数据基本平台通信连接，所述大数据基本平台将梳理后的数据向所述BI报表子系统传输。本发明还提供一种空调器BI报表的生成方法和存储介质。本发明空调器BI报表系统中的大数据基本平台将梳理后的数据向空调器BI报表子系统传输，使得大数据中存储了整合后的数据，从而使得空调器BI报表可直接使用整合后的数据，从而使得获取的信息集合中的数据较多，提高了空调器BI报表的展示内容的准确性。
空调器 bi 报表系统生成方法存储介质

[发明专利]一种Bi-2212高温超导线材的制备方法-CN201811399544.4有效
发明人：郝清滨;焦高峰;徐晓燕;李成山;刘国庆;郑会玲;白利锋;张胜楠;马小波;李高山;熊晓梅;冯建情;崔利军;闫果;张平祥 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种Bi‑2212高温超导线材的制备方法，该方法包括：一、将Bi‑2212前驱粉末装入银管中经拉拔制成单芯线材；二、将单芯线材进行截断、集束装管和拉拔得到二次复合线材，重复上述截断、集束装管和拉拔得到Bi‑2212线材；三、将Bi‑2212线材进行部分熔化热处理；四、将经部分熔化热处理后的Bi‑2212线材进行低温热处理，得到Bi‑2212高温超导线材。本发明采用先部分熔化热处理再低温热处理热处理的方法，使Bi‑2212线材中形成更多有效的磁通钉扎中心，从而提高了Bi‑2212线材的高温超导性能，避免了采用元素掺杂方法导致的Bi‑2212晶界变差影响Bi
一种 bi 2212 高温超导线材制备方法

[发明专利]采用等温热处理制备高拉伸塑性Ni（Bi）合金的方法-CN201210296001.6有效
发明人：郑磊;齐琳;杨武强;何飞霞;张彬彬 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： C22F1/10 文献下载
摘要：本发明属于镍基合金领域，涉及一种采用等温热处理制备高拉伸塑性Ni(Bi)合金的方法。采用高纯Ni和高纯Bi为原料，通过真空冶炼工艺制备Ni(Bi)合金，并将Ni(Bi)合金进行745℃～755℃下的等温热处理，最终得到高拉伸塑性、高服役可靠性的Ni(Bi)合金。本发明降低了Bi元素挥发量，准确控制了Bi含量；提高了合金的利用率，降低了成本。用本方法制得的Ni(Bi)合金平均拉伸塑性达到61.71%，最高可达68.17％，具有良好的应用前景。
采用等温热处理制备拉伸塑性 ni bi 合金方法

[发明专利]一种通过添加形核剂制备具有弥散型复合凝固组织Al-Bi合金的方法-CN201510325711.0有效
发明人：赵九洲;孙倩;江鸿翔;何杰 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过添加形核剂制备具有弥散型复合凝固组织Al‑Bi合金的方法，属于Al‑Bi轴瓦合金材制备技术领域。采用向Al‑Bi合金熔体中添加TiC粒子作为形核剂，在Al‑Bi合金熔体冷却发生液‑液相变时，TiC粒子可以做为富Bi相液滴的形核基底，从而大幅度提高富Bi相液滴的形核率，促进弥散型Al‑Bi合金复合凝固组织的形成本发明可用于制备高质量Al‑Bi合金轴瓦材料。
一种通过添加形核剂制备具有弥散复合凝固组织 al bi 合金方法

[发明专利]一种用于低功耗相变存储器的GeTe/Bi2Te3超晶格结构存储介质-CN201710035000.9有效
发明人：任堃 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明一种用于低功耗相变存储器的GeTe/Bi2Te3超晶格结构存储介质。GeTe/Bi2Te3超晶格结构存储介质包含至少一个Bi2Te3层和GeTe材料层叠放单元，相邻单元间Bi2Te3层和GeTe材料层交替排布；Bi2Te3层厚度范围为10～50埃，GeTe层厚度范围为10～25埃；Bi2Te3层包括若干Bi2Te3单元，相邻Bi2Te3单元间通过van der waals作用结合。Bi2Te3/GeTe超晶格结构的应用能更有效降低相变存储器器件功耗。
一种用于功耗相变存储器 gete bi2te3 晶格结构存储介质

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